Obraz jest w celach informacyjnych, skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz!
Numer części producenta: | SISHA14DN-T1-GE3 |
Producent: | Vishay / Siliconix |
Część opisu: | MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK |
Status bezołowiowy / Status RoHS: | Bezołowiowe / Zgodne z RoHS |
Stan magazynowy: | W magazynie |
Statek z: | Hong Kong |
Sposób wysyłki: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Rodzaj | Opis |
---|---|
Seria | TrenchFET® Gen IV |
Pakiet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Stan części | Active |
Typ FET | N-Channel |
Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Spust do źródła napięcia (Vdss) | 30 V |
Prąd - ciągły odpływ (Id) przy 25 ° C | 19.7A (Ta), 20A (Tc) |
Napięcie napędu (maks. Rds wł., Min. Rds wł.) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Vgs (maks.) | +20V, -16V |
Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 15 V |
Funkcja FET | - |
Rozpraszanie mocy (maks.) | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ mocowania | Surface Mount |
Pakiet urządzenia dostawcy | PowerPAK® 1212-8SH |
Opakowanie / walizka | PowerPAK® 1212-8SH |
Stan magazynowy: 5786
Minimum: 1
Ilość | Cena jednostkowa | Zewn. Cena |
---|---|---|
![]() Cena nie jest dostępna, proszę o zapytanie ofertowe |
40 USD przez FedEx.
Przyjazd za 3-5 dni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezpłatna wysyłka za pierwsze 0,5 kg w przypadku zamówień powyżej 150 $, nadwaga zostanie naliczona osobno