Obraz jest w celach informacyjnych, skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz!

BSM180C12P2E202

Numer części producenta:	BSM180C12P2E202
Producent:	ROHM Semiconductor
Część opisu:	SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Arkusze danych:	BSM180C12P2E202 Arkusze danych
Status bezołowiowy / Status RoHS:	Bezołowiowe / Zgodne z RoHS
Stan magazynowy:	W magazynie
Statek z:	Hong Kong
Sposób wysyłki:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

UWAGA: ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202 jest dostępny na chipnets.com. Sprzedajemy tylko nowe i oryginalne części i oferujemy 1 rok gwarancji. Jeśli chcesz dowiedzieć się więcej o produktach lub zastosować lepszą cenę, skontaktuj się z nami, kliknij Czat online lub wyślij do nas wycenę.

Wszystkie komponenty Eelctronics będą pakowane bardzo bezpiecznie dzięki ochronie antystatycznej ESD.

package

Specyfikacja

Rodzaj	Opis
Seria	-
Pakiet	Tray
Stan części	Active
Typ FET	N-Channel
Technologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Spust do źródła napięcia (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły odpływ (Id) przy 25 ° C	204A (Tc)
Napięcie napędu (maks. Rds wł., Min. Rds wł.)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (maks.)	+22V, -6V
Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds	20000 pF @ 10 V
Funkcja FET	-
Rozpraszanie mocy (maks.)	1360W (Tc)
temperatura robocza	175°C (TJ)
Typ mocowania	Chassis Mount
Pakiet urządzenia dostawcy	Module
Opakowanie / walizka	Module

OPCJE ZAKUPU

Stan magazynowy: 4

Minimum: 1

Ilość	Cena jednostkowa	Zewn. Cena
Cena nie jest dostępna, proszę o zapytanie ofertowe

Obliczanie frachtu

40 USD przez FedEx.

Przyjazd za 3-5 dni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezpłatna wysyłka za pierwsze 0,5 kg w przypadku zamówień powyżej 150 $, nadwaga zostanie naliczona osobno

Popularne modele

	BSM180C12P2E202 ROHM Semiconductor
	BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor

Ten przedmiot został dodany do Twojego koszyka.