Obraz jest w celach informacyjnych, skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz!

RM4N650IP

Numer części producenta:	RM4N650IP
Producent:	Rectron USA
Część opisu:	MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251
Status bezołowiowy / Status RoHS:	Bezołowiowe / Zgodne z RoHS
Stan magazynowy:	W magazynie
Statek z:	Hong Kong
Sposób wysyłki:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

UWAGA: Rectron USA RM4N650IP jest dostępny na chipnets.com. Sprzedajemy tylko nowe i oryginalne części i oferujemy 1 rok gwarancji. Jeśli chcesz dowiedzieć się więcej o produktach lub zastosować lepszą cenę, skontaktuj się z nami, kliknij Czat online lub wyślij do nas wycenę.

Wszystkie komponenty Eelctronics będą pakowane bardzo bezpiecznie dzięki ochronie antystatycznej ESD.

package

Specyfikacja

Rodzaj	Opis
Seria	-
Pakiet	Tube
Stan części	Active
Typ FET	N-Channel
Technologia	MOSFET (Metal Oxide)
Spust do źródła napięcia (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły odpływ (Id) przy 25 ° C	4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. Rds wł., Min. Rds wł.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds	280 pF @ 50 V
Funkcja FET	-
Rozpraszanie mocy (maks.)	46W (Tc)
temperatura robocza	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania	Through Hole
Pakiet urządzenia dostawcy	TO-251
Opakowanie / walizka	TO-251-3 Stub Leads, IPak

OPCJE ZAKUPU

Stan magazynowy: Wysyłka tego samego dnia

Minimum: 1

Ilość	Cena jednostkowa	Zewn. Cena
Cena nie jest dostępna, proszę o zapytanie ofertowe

Obliczanie frachtu

40 USD przez FedEx.

Przyjazd za 3-5 dni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezpłatna wysyłka za pierwsze 0,5 kg w przypadku zamówień powyżej 150 $, nadwaga zostanie naliczona osobno

Popularne modele

Ten przedmiot został dodany do Twojego koszyka.