Obraz jest w celach informacyjnych, skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz!

G2R120MT33J

Numer części producenta:	G2R120MT33J
Producent:	GeneSiC Semiconductor
Część opisu:	SIC MOSFET N-CH TO263-7
Arkusze danych:	G2R120MT33J Arkusze danych
Status bezołowiowy / Status RoHS:	Bezołowiowe / Zgodne z RoHS
Stan magazynowy:	W magazynie
Statek z:	Hong Kong
Sposób wysyłki:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

UWAGA: GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J jest dostępny na chipnets.com. Sprzedajemy tylko nowe i oryginalne części i oferujemy 1 rok gwarancji. Jeśli chcesz dowiedzieć się więcej o produktach lub zastosować lepszą cenę, skontaktuj się z nami, kliknij Czat online lub wyślij do nas wycenę.

Wszystkie komponenty Eelctronics będą pakowane bardzo bezpiecznie dzięki ochronie antystatycznej ESD.

package

Specyfikacja

Rodzaj	Opis
Seria	G2R™
Pakiet	Tube
Stan części	Active
Typ FET	N-Channel
Technologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Spust do źródła napięcia (Vdss)	3300 V
Prąd - ciągły odpływ (Id) przy 25 ° C	35A
Napięcie napędu (maks. Rds wł., Min. Rds wł.)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	156mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	145 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+25V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds	3706 pF @ 1000 V
Funkcja FET	-
Rozpraszanie mocy (maks.)	-
temperatura robocza	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania	Surface Mount
Pakiet urządzenia dostawcy	TO-263-7
Opakowanie / walizka	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

OPCJE ZAKUPU

Stan magazynowy: 82

Minimum: 1

Ilość	Cena jednostkowa	Zewn. Cena
Cena nie jest dostępna, proszę o zapytanie ofertowe

Obliczanie frachtu

40 USD przez FedEx.

Przyjazd za 3-5 dni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezpłatna wysyłka za pierwsze 0,5 kg w przypadku zamówień powyżej 150 $, nadwaga zostanie naliczona osobno

Popularne modele

	G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor
	G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor
	G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor
	G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor

Ten przedmiot został dodany do Twojego koszyka.