Obraz jest w celach informacyjnych, skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz!

SI4712DY-T1-GE3

Numer części producenta:	SI4712DY-T1-GE3
Producent:	Vishay / Siliconix
Część opisu:	MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SO
Arkusze danych:	SI4712DY-T1-GE3 Arkusze danych
Status bezołowiowy / Status RoHS:	Bezołowiowe / Zgodne z RoHS
Stan magazynowy:	W magazynie
Statek z:	Hong Kong
Sposób wysyłki:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

UWAGA: Vishay / Siliconix SI4712DY-T1-GE3 jest dostępny na chipnets.com. Sprzedajemy tylko nowe i oryginalne części i oferujemy 1 rok gwarancji. Jeśli chcesz dowiedzieć się więcej o produktach lub zastosować lepszą cenę, skontaktuj się z nami, kliknij Czat online lub wyślij do nas wycenę.

Wszystkie komponenty Eelctronics będą pakowane bardzo bezpiecznie dzięki ochronie antystatycznej ESD.

package

Specyfikacja

Rodzaj	Opis
Seria	SkyFET®, TrenchFET®
Pakiet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stan części	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technologia	MOSFET (Metal Oxide)
Spust do źródła napięcia (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły odpływ (Id) przy 25 ° C	14.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. Rds wł., Min. Rds wł.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds	1084 pF @ 15 V
Funkcja FET	-
Rozpraszanie mocy (maks.)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
temperatura robocza	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania	Surface Mount
Pakiet urządzenia dostawcy	8-SO
Opakowanie / walizka	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

OPCJE ZAKUPU

Stan magazynowy: Wysyłka tego samego dnia

Minimum: 1

Ilość	Cena jednostkowa	Zewn. Cena
Cena nie jest dostępna, proszę o zapytanie ofertowe

Obliczanie frachtu

40 USD przez FedEx.

Przyjazd za 3-5 dni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezpłatna wysyłka za pierwsze 0,5 kg w przypadku zamówień powyżej 150 $, nadwaga zostanie naliczona osobno

Popularne modele

Ten przedmiot został dodany do Twojego koszyka.