Obraz jest w celach informacyjnych, skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz!

1N8030-GA

Numer części producenta:	1N8030-GA
Producent:	GeneSiC Semiconductor
Część opisu:	DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Arkusze danych:	1N8030-GA Arkusze danych
Status bezołowiowy / Status RoHS:	Bezołowiowe / Zgodne z RoHS
Stan magazynowy:	W magazynie
Statek z:	Hong Kong
Sposób wysyłki:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

UWAGA: GeneSiC Semiconductor 1N8030-GA jest dostępny na chipnets.com. Sprzedajemy tylko nowe i oryginalne części i oferujemy 1 rok gwarancji. Jeśli chcesz dowiedzieć się więcej o produktach lub zastosować lepszą cenę, skontaktuj się z nami, kliknij Czat online lub wyślij do nas wycenę.

Wszystkie komponenty Eelctronics będą pakowane bardzo bezpiecznie dzięki ochronie antystatycznej ESD.

package

Specyfikacja

Rodzaj	Opis
Seria	-
Pakiet	Tube
Stan części	Obsolete
Typ diody	Silicon Carbide Schottky
Napięcie - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Obecna - średnia rektyfikowana (Io)	750mA
Napięcie - przewodzenie (Vf) (maks.) @ If	1.39 V @ 750 mA
Prędkość	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Prąd - wyciek wsteczny @ Vr	5 µA @ 650 V
Pojemność @ Vr, F	76pF @ 1V, 1MHz
Typ mocowania	Through Hole
Opakowanie / walizka	TO-257-3
Pakiet urządzenia dostawcy	TO-257
Temperatura pracy - złącze	-55°C ~ 250°C

OPCJE ZAKUPU

Stan magazynowy: Wysyłka tego samego dnia

Minimum: 1

Ilość	Cena jednostkowa	Zewn. Cena
Cena nie jest dostępna, proszę o zapytanie ofertowe

Obliczanie frachtu

40 USD przez FedEx.

Przyjazd za 3-5 dni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezpłatna wysyłka za pierwsze 0,5 kg w przypadku zamówień powyżej 150 $, nadwaga zostanie naliczona osobno

Popularne modele

Ten przedmiot został dodany do Twojego koszyka.