Obraz jest w celach informacyjnych, skontaktuj się z nami, aby uzyskać prawdziwy obraz!

DF23MR12W1M1B11BPSA1

Numer części producenta:	DF23MR12W1M1B11BPSA1
Producent:	IR (Infineon Technologies)
Część opisu:	MOSFET MOD 1200V 25A
Arkusze danych:	DF23MR12W1M1B11BPSA1 Arkusze danych
Status bezołowiowy / Status RoHS:	Bezołowiowe / Zgodne z RoHS
Stan magazynowy:	W magazynie
Statek z:	Hong Kong
Sposób wysyłki:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

UWAGA: IR (Infineon Technologies) DF23MR12W1M1B11BPSA1 jest dostępny na chipnets.com. Sprzedajemy tylko nowe i oryginalne części i oferujemy 1 rok gwarancji. Jeśli chcesz dowiedzieć się więcej o produktach lub zastosować lepszą cenę, skontaktuj się z nami, kliknij Czat online lub wyślij do nas wycenę.

Wszystkie komponenty Eelctronics będą pakowane bardzo bezpiecznie dzięki ochronie antystatycznej ESD.

package

Specyfikacja

Rodzaj	Opis
Seria	CoolSiC™+
Pakiet	Tray
Stan części	Active
Typ FET	2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET	Silicon Carbide (SiC)
Spust do źródła napięcia (Vdss)	1200V
Prąd - ciągły odpływ (Id) przy 25 ° C	25A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds	1840pF @ 800V
Moc - maks	20mW
temperatura robocza	-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania	Chassis Mount
Opakowanie / walizka	Module
Pakiet urządzenia dostawcy	AG-EASY1BM-2

OPCJE ZAKUPU

Stan magazynowy: 69

Minimum: 1

Ilość	Cena jednostkowa	Zewn. Cena
Cena nie jest dostępna, proszę o zapytanie ofertowe

Obliczanie frachtu

40 USD przez FedEx.

Przyjazd za 3-5 dni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Bezpłatna wysyłka za pierwsze 0,5 kg w przypadku zamówień powyżej 150 $, nadwaga zostanie naliczona osobno

Popularne modele

	DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IR (Infineon Technologies)
	DF23MR12W1M1B11BPSA1 IR (Infineon Technologies)
	DF23MR12W1M1B11BOMA1 Rochester Electronics

Ten przedmiot został dodany do Twojego koszyka.